株洲科能分子束外延（MBE）级高纯镓通过中科院半导体研究所试用
近日，中国科学院半导体研究所使用我司生产的MBE级高纯镓用于分子束外延GaAs基材料的生长，先后生长了非掺杂GaAs薄膜和AlGaAs/GaAs二维电子气材料，使用效果良好，完全满足分子束外延高端材料生长的使用要求。
近日，中国科学院半导体研究所使用我司生产的MBE级高纯镓用于分子束外延GaAs基材料的生长，先后生长了非掺杂GaAs薄膜和AlGaAs/GaAs二维电子气材料，使用效果良好，完全满足分子束外延高端材料生长的使用要求。