株洲科能MBEグレードの高純度ガリウムは、中国科学院半導体研究所の試験に合格しました。

中国科学院半導体研究所は弊社製MBE用の高純度ガリウムを使って、分子線エピタキシー法でGaAs基板に結晶成長しました。アンドーピング（不純物の添加無し）GaAs薄膜とAlGaAs/GaAs二次元電子材料を成長しまして、使用効果良好で、分子線エピタキシー法（MBE; Molecular Beam Epitaxy）用高純度材料の使用要求を完全に満足していると評価されました。