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在电力应用中,氧化镓可能会挑战硅,氮化镓和碳化硅
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发布时间:[2018/10/19]

  氧化镓是一种半导体材料,其带隙大于硅,氮化镓和碳化硅,但在成为电力电子产品的主要参与者之前需要更多的研发。

  半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。 根据布法罗大学(UB)工程与应用科学学院电气工程副教授Uttam Singisetti博士的说法,这种材料可以在改善电动汽车,太阳能和其他形式的可再生能源方面发挥关键作用。 他说,“我们需要具有更强大和更高效的电源处理能力的电子元件。氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性。”

  电子工业正在尽可能地将硅作为半导体最大化,这就是为什么研究人员正在探索其他材料,如碳化硅,氮化镓和氧化镓。氧化镓具有差的导热性,但其带隙(约4.8电子伏特或eV)超过碳化硅(约3.4eV),氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的带隙。

  带隙测量将电子摇动到导电状态所需的能量。 采用高带隙材料制成的系统可以比由带隙较低的材料组成的系统更薄,更轻,并且处理更多的功率。此外,高带隙使得可以在更高的温度下操作这些系统,从而减少对庞大的冷却系统的需求。

  此文章引自https://www.electronicdesign.com/网站。